TPS54620RGYR
वैशिष्ट्ये
1.एकात्मिक 26 mΩ आणि 19 mΩ MOSFET
2. स्प्लिट पॉवर रेल: PVIN वर 1.6 V ते 17 V
3.200-kHz ते 1.6-MHz स्विचिंग वारंवारता
4.बाह्य घड्याळाशी सिंक्रोनाइझ करते
5.0.8 V ±1% व्होल्टेज संदर्भ अतितापमान
6.लो 2-µA शटडाउन शांत करंट
7. प्रीबायस्ड आउटपुटमध्ये मोनोटोनिक स्टार्ट-अप
8.–40°C ते 150°C ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान
श्रेणी
1.अ‍ॅडजस्टेबल स्लो स्टार्ट आणि पॉवर सिक्वेन्सिंग
2.अंडरव्होल्टेजसाठी पॉवर गुड आउटपुट मॉनिटर आणि
ओव्हरव्होल्टेज मॉनिटरिंग
समायोज्य इनपुट अंडरव्होल्टेज लॉकआउट
SWIFT™ दस्तऐवजीकरणासाठी, भेट द्या
http://www.ti.com/swift
TPS54620 वापरून सानुकूल डिझाइन तयार करा
WEBENCH पॉवर डिझायनरसह
अर्ज
1.उच्च घनता वितरित उर्जा प्रणाली
2. लोड रेग्युलेशनचा उच्च कार्यप्रदर्शन बिंदू
3.ब्रॉडबँड, नेटवर्किंग आणि ऑप्टिकल
संप्रेषण पायाभूत सुविधांचे वर्णन TPS54620 थर्मली वर्धित 3.50 मिमी ×
3.50 mm QFN पॅकेज हे संपूर्ण वैशिष्ट्यीकृत 17-V, 6-A, सिंक्रोनस, स्टेप-डाउन कन्व्हर्टर आहे जे उच्च कार्यक्षमतेद्वारे आणि उच्च-साइड आणि लो-साइड MOSFETs एकत्रित करून लहान डिझाइनसाठी ऑप्टिमाइझ केलेले आहे. पुढील जागेची बचत करंटद्वारे साध्य केली जाते. मोड कंट्रोल, जे घटकांची संख्या कमी करते आणि उच्च स्विचिंग वारंवारता निवडून, इंडक्टरचा फूटप्रिंट कमी करते. आउटपुट व्होल्टेज स्टार्ट-अप रॅम्प एसएस/टीआर पिनद्वारे नियंत्रित केला जातो जो स्वतंत्र वीज पुरवठा म्हणून किंवा ट्रॅकिंगमध्ये ऑपरेशनला परवानगी देतो. परिस्थितीसक्षम आणि ओपन-ड्रेन पॉवर गुड पिन योग्यरित्या कॉन्फिगर करून पॉवर सिक्वेन्सिंग देखील शक्य आहे.हाय-साइड FET वर सायकल-बाय-सायकल वर्तमान मर्यादा ओव्हरलोड परिस्थितीत डिव्हाइसचे संरक्षण करते आणि लो-साइड सोर्सिंग करंट मर्यादेद्वारे वर्धित केले जाते जे वर्तमान पळून जाण्यापासून प्रतिबंधित करते.लो-साइड सिंक करंट मर्यादा देखील आहे जी जास्त रिव्हर्स करंट टाळण्यासाठी लो-साइड MOSFET बंद करते.जेव्हा डाई तापमान थर्मल शटडाउन तापमानापेक्षा जास्त होते तेव्हा थर्मल शटडाउन भाग अक्षम करते.
डिव्हाइस माहिती
भाग क्रमांक पॅकेज बॉडी साइज (NOM)
TPS54620 VQFN (14) 3.50 मिमी × 3.50 मिमी
